-
1 misfit dislocation
1) Техника: дислокация несоответствия -
2 misfit stress
-
3 misfit dislocation
2) pl дислокации несоответствия; комплекс дислокаций различного типа; неупорядоченные дислокации; скопление дислокацийEnglish-Russian dictionary of mechanical engineering and automation > misfit dislocation
-
4 misfit stress
English-Russian dictionary of mechanical engineering and automation > misfit stress
-
5 эпитаксия
or EpiЭпитаксияОриентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Эпитаксия определяется условиями сопряжения кристаллических решеток растущего кристалла и подложки. Она особенно легко осуществляется, если разность постоянных решёток не превышает 10%. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют дислокации несоответствия. Эпитаксия широко используется в микроэлектронике, квантовой электронике и интегральной оптике. -
6 epitaxy
or EpiЭпитаксияОриентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Эпитаксия определяется условиями сопряжения кристаллических решеток растущего кристалла и подложки. Она особенно легко осуществляется, если разность постоянных решёток не превышает 10%. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют дислокации несоответствия. Эпитаксия широко используется в микроэлектронике, квантовой электронике и интегральной оптике. -
7 precipitation hardened materials
дисперсноупрочненные материалы
Сплавы, упрочн. дисперс. частицами фазы, выдел, из пересыщ. р-ра в рез-те его распада (см. Старение). Эти частицы преодолевают дислокации обходом, попереч. скольжением или переползанием. Эффективность упрочнения зависит гл. обр. от прочности, структуры, размера, формы выделившихся частиц, р-ния м-ду ними, их объем, доли, а тж. от хар-ра распределения дисперсных частиц, степени несоответствия (или когерентности) их с матрицей и их относит, ориентации. При дост. мелких частицах (на стадии перерезания) прочн. св-ва д.-у. м. возрастают с увелич. размера частиц, их объем, доли и энергии создания новых поверхностей раздела. При достат. крупных частицах (на стадии обхода) эффективность упрочнения уменьш. с увеличением размеров частиц и р-ния м-ду ними. Оптим. меха-нич. св-ва д.-у. м. достигаются подбором режимов старения.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > precipitation hardened materials
-
8 phase interface
межфазная граница
Граница между кристаллами, принадлежащими разным фазам. Различают три типа м. г.: когерентные, полукогерентные и некогерентные. На когерентной м. г. решетка одной фазы плавно переходит в решетку другой фазы. Несоответствие решеток двух фаз обусловливает упругую деформацию, изгиб атомных плоскостей на когерентной м. г. Нек-рые ат. плоскости кристалла одной фазы не имеют продолжения в кристалле соседней фазы. Область несовершенства вокруг края такой ат. плоскости, оканчивающейся на м. г., явл. дислокацией, назыв. дислокацией несоответствия. На полукогерентной м. г. такие дислокации чередуются с участками плавного сопряжения решеток двух фаз. При очень большом несоответствии решеток двух фаз, когда плавное сопряжение их вообще невозможно, м. г. называют некогерентной.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > phase interface
См. также в других словарях:
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
Эпитаксия — (от Эпи... и греч. táxis расположение, порядок) ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию) … Большая советская энциклопедия
ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на пов сти другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они… … Химическая энциклопедия
гетероструктура полупроводниковая — Термин гетероструктура полупроводниковая Термин на английском semiconductor heterostructure Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероэпитаксия, квантовая проволока, квантовая яма, полупроводник, светодиод Определение искусственная структура … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой (от греч. επι на и ταξισ упорядоченность), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать… … Википедия
эпитаксия — Epitaxy or Epi Эпитаксия Ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы.… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
epitaxy — Epitaxy or Epi Эпитаксия Ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы.… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
РОДЫ — РОДЫ. Содержание: I. Определение понятия. Изменения в организме во время Р. Причины наступления Р..................... 109 II. Клиническое течение физиологических Р. . 132 Ш. Механика Р. ................. 152 IV. Ведение Р.................. 169 V … Большая медицинская энциклопедия
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич … Физическая энциклопедия
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
Твердение металлов — [hardening] повышение прочности сталей и сплавов, связанное с выделением дисперсных частиц вторичных фаз (карбидов, нитридов, их комплексных соединений карбонитридов, интерметаллидов) и изменение структуры матрицы при распаде пересыщенного… … Энциклопедический словарь по металлургии
